FinFET FinFET 구조는 기존 평면형태의 MOSFET구조를 3차원 형태로 구성한 현대 MOSFET 제조기술입니다. MOSFET을 작게 만드는 기술이 중요해지면서 그에 따른 부정적인 …
반도체소자
HKMG HKMG (High-K Metal Gate)는 트랜지스터의 게이트를 구성하는 부분인 Oxide층 유전율이 높은 물질로 대체하는 기법입니다. MOSFET을 구성하는 Oxide층은 일반적으로 SiO2를 …
Strained Silicon Strained Silicon 기법은 기존 반도체 구조에 변형을 가하여 정공이나 전자의 이동도를 증가시키는 방법입니다. 앞선 주제들에서 반도체소자의 동작속도는 드레인전류와 …
MOSFET 이동도 차이 MOSFET 이동도 차이 (Mobility Difference)는 전자나 정공의 이동도의 차이로 인하여 발생합니다. 왜 전자나 정공의 이동도 차이가 MOSFET을 …
문턱 전압이하 스윙 문턱 전압이하 스윙 (Subthreshold Swing)은 MOSFET 게이트에 문턱전압이하 크기로 전압이 걸려있을 때, 전압 변화에 따른 전류변화를 설명할 …
속도 포화 속도 포화 (Velocity Saturation)는 채널을 이동하는 정공이나 전자와 같은 캐리어가 전기장에 의해서 가속되는데, 이 속도가 어느 정도 이상 …
MOSFET Body Effect MOSFET Body Effect 현상은 MOSFET이 4단자소자이므로 발생하는 현상입니다. 이전까지 MOSFET의 동작원리를 설명드릴 때, Source와 Gate사이의 전압 그리고 …
JFET JFET (Junction FET) 반도체를 이용한 소자이며 흐르는 전류를 제어하기위해서 전기장효과 (Field-Effect)를 이용합니다. JFET는 기본적으로 고농도로 도핑된 p-type반도체가 n-type반도체를 위아래로 …
MOSFET의 동작원리 MOSFET의 동작원리 설명을 위해서 3가지 영역을 소개드리도록 하겠습니다. MOSFET은 전압제어를 통해서 전류원을 만들어내는 트랜지스터입니다. 금속, 산화막, 반도체를 접합하여 …
쇼트키 다이오드 쇼트키 다이오드 (Schottky Diode)는 금속과 반도체의 접합 즉, MS Contact으로 인해서 생성된 에너지 장벽을 이용한 소자입니다. 이때, 생성된 …